锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 IPD50R950CEAUMA1 共 9 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD50R950CEAUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥3.824545

+200：

￥1.529818

+500：

￥1.475181

+1000：

￥1.453327

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD50R950CEAUMA1_未分类
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥1.883649

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD50R950CEAUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥2.0479

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD50R950CEAUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥3.538764

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

IPD50R950CEAUMA1_未分类
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥3.783911

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 950mOhm @ 1.2A, 13V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 53W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 100µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-344

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.5 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 231 pF @ 100 V

IPD50R950CEAUMA1_未分类
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥9.723528

+10：

￥8.556704

+100：

￥6.564596

+500：

￥5.189448

+1000：

￥4.151582

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 950mOhm @ 1.2A, 13V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 53W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 100µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-344

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.5 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 231 pF @ 100 V

IPD50R950CEAUMA1_未分类
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥9.723528

+10：

￥8.556704

+100：

￥6.564596

+500：

￥5.189448

+1000：

￥4.151582

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 950mOhm @ 1.2A, 13V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 53W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 100µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-344

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 13V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 500 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.5 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 231 pF @ 100 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD50R950CEAUMA1_未分类
IPD50R950CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥11.295079

+10：

￥9.697238

+100：

￥7.589742

+250：

￥7.451997

+500：

￥6.005675

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD50R950CEAUMA1_未分类
IPD50R950CEAUMA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

下载数据手册

未分类
+1：

￥10.262625

+10：

￥8.998626

+25：

￥8.238916

+100：

￥6.826906

+250：

￥6.061957

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IPD50R950CEAUMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -