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自营 现货库存
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IXTH260N055T2_未分类
IXTH260N055T2
授权代理品牌
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¥81.156834

+210:

¥32.388428

+510:

¥31.306629

+990:

¥30.771192

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IXTH260N055T2_未分类
IXTH260N055T2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 55V 260A TO247

未分类

+1:

¥66.301532

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10800 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IXTH260N055T2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥55.707821

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¥50.348054

+100:

¥41.681689

+500:

¥36.295756

+1000:

¥31.931766

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10800 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTH260N055T2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥96.26293

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¥87.001268

+100:

¥72.025819

+500:

¥62.718946

+1000:

¥55.177984

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10800 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTH260N055T2_未分类
IXTH260N055T2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 55V 260A TO247

未分类

+1:

¥123.257415

+30:

¥98.54256

+120:

¥88.244705

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10800 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247(IXTH)

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTH260N055T2_未分类
IXTH260N055T2
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247

未分类

+1:

¥121.641443

+10:

¥120.45323

+25:

¥95.738375

+50:

¥94.77196

+100:

¥77.249762

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXTH260N055T2_未分类
IXTH260N055T2
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 55V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-247

未分类

+2:

¥72.955892

+10:

¥62.750809

+25:

¥56.650563

+50:

¥56.080447

+100:

¥45.02019

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTH260N055T2_未分类
IXTH260N055T2
授权代理品牌
+1:

¥72.358592

+10:

¥62.23706

+25:

¥56.186759

+50:

¥55.62131

+100:

¥48.543775

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTH260N055T2参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: TrenchT2™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10800 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 480W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)