IXFH10N100P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥78.97138 +210：￥31.514247 +510：￥30.465229 +990：￥29.94072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥66.301532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.655035 +30：￥38.863553 +120：￥34.773528 +510：￥30.682566 +1020：￥27.614297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.023107 +30：￥95.070548 +120：￥85.065264 +510：￥75.057685 +1020：￥67.551886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥129.015344 +10：￥118.899746 +30：￥101.653479 +120：￥92.035367 +270：￥91.37205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥93.269189 +500：￥92.340523 +1000：￥91.411855 +2000：￥90.498664 +2500：￥89.600952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 10A, TO-247AD 下载数据手册未分类	+1：￥76.919407 +5：￥69.172033 +10：￥61.411461 +50：￥58.230684 +100：￥55.036706	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH10N100P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 1KV, 10A, TO-247AD 下载数据手册未分类	+1：￥78.261124 +5：￥70.382406 +10：￥62.491455 +50：￥59.237199 +100：￥55.982947	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH10N100P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3030 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	380W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）