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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.886629 +10：￥16.432432 +30：￥16.141592 +100：￥15.269074	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.153545 +5：￥17.68657 +15：￥12.982695 +25：￥9.40775 +50：￥8.937423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.623464 +10：￥14.104728 +25：￥10.074823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

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	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.746815 +10：￥10.053088 +25：￥8.982216 +100：￥7.889489 +350：￥7.397762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.660416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.328369 +10：￥50.614094 +100：￥41.464467 +500：￥35.297665 +1000：￥29.769068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册未分类	+1：￥49.863682 +25：￥39.559474 +100：￥33.910163 +500：￥30.14224 +1000：￥25.809386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 150µA Supplier Device Package： TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6540 pF @ 50 V

Mouser

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	IRFP3206PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC 下载数据手册未分类	+1：￥49.97855 +10：￥47.365293 +25：￥41.648792 +100：￥37.565578 +400：￥29.399147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 75A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP3206PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+1：￥38.864525 +10：￥34.809592 +25：￥34.124254 +100：￥26.528395 +250：￥26.271392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP3206PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP3206PBF 下载数据手册未分类	+6：￥19.619886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP3206PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3mOhm 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6540 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)