IXTH34N65X2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.764567 +10：￥17.653376 +30：￥16.327251 +100：￥15.223915 +500：￥14.491894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 授权代理品牌	IXTH34N65X2 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-247-3

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.818499 +30：￥33.37496 +120：￥29.86238 +510：￥26.348984 +1020：￥23.714069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥102.299129 +30：￥81.643994 +120：￥73.051294 +510：￥64.456597 +1020：￥58.010895	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥116.943275 +10：￥100.283758 +30：￥90.974028 +120：￥83.460912 +270：￥79.867684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥104.769896 +10：￥78.15268 +25：￥73.716477 +50：￥67.01498 +100：￥62.201227	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH34N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 X2-Class系列, Vds=650 V, 34 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+2：￥72.419603 +8：￥70.255748 +16：￥68.147518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXTH34N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 X2-Class系列, Vds=650 V, 34 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+30：￥72.420714 +60：￥70.24796 +120：￥68.13973	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXTH34N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 X2-Class系列, Vds=650 V, 34 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+8：￥70.255748 +16：￥68.147518	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH34N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3120 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）