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	IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥12.172752 +100：￥9.915696 +300：￥7.952832 +500：￥7.100784 +1000：￥6.591024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.630325	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥23.609376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF 授权代理品牌	IRFH5250TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.121984 +5：￥5.968947 +10：￥5.815908 +30：￥5.662871 +50：￥5.560767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.403606 +12000：￥4.330213 +20000：￥4.293515 +40000：￥4.220122	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.888809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥10.478243 +1000：￥10.303558 +3000：￥10.128988 +5000：￥9.954301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.323946 +100：￥6.085635 +500：￥5.849711 +1000：￥5.566672 +3000：￥5.377978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.597434 +8000：￥5.38704 +12000：￥5.208693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH5250TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.15 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7174 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），160W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥23.609376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF 授权代理品牌	IRFH5250TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.121984 +5：￥5.968947 +10：￥5.815908 +30：￥5.662871 +50：￥5.560767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.403606 +12000：￥4.330213 +20000：￥4.293515 +40000：￥4.220122	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.888809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥10.478243 +1000：￥10.303558 +3000：￥10.128988 +5000：￥9.954301	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5250TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.323946 +100：￥6.085635 +500：￥5.849711 +1000：￥5.566672 +3000：￥5.377978	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.15 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7174 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），160W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）