IRLI640GPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLI640GPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLI640GPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.34431 +200：￥3.287185 +370：￥3.230058 +1110：￥3.144264 +3690：￥3.058468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLI640GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥28.56912 +25：￥26.986677 +100：￥22.574739 +500：￥18.858275 +1000：￥17.623401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLI640GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLI640GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.04175 +10：￥17.07773 +100：￥13.992422 +500：￥11.911322 +1000：￥10.763213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLI640GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.581166 +10：￥41.776652 +100：￥34.229172 +500：￥29.13825 +1000：￥26.329672	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLI640GPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥46.2251 +10：￥35.281348 +100：￥30.871179 +500：￥28.257747 +1000：￥24.174258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLI640GPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 下载数据手册未分类	+1：￥34.943868 +10：￥29.01589 +100：￥26.192301 +500：￥24.913106 +1000：￥22.401516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLI640GPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 5.9A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	66 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3 全封装，隔离接片
温度:	-55°C # 150°C（TJ）