![IRF840SPBF_未分类]() | IRF840SPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
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![IRF840SPBF_未分类]() | IRF840SPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![IRF840SPBF_未分类]() | IRF840SPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
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 | IRF840SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRF840SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 850 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
