IPA95R750P7XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.429241 +200：￥10.357721 +500：￥8.28608 +1000：￥6.905107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 712 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.763051 +200：￥4.939126 +500：￥4.76429 +1000：￥4.676872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 712 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.950789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 712 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 712 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.462734 +10：￥34.523298 +100：￥27.747735 +500：￥22.797622 +1000：￥18.998196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 712 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥39.623466 +50：￥19.585313 +100：￥18.17631 +500：￥14.645997 +1000：￥13.166618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 750mOhm @ 4.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 220µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 712 pF @ 400 V

Mouser

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	IPA95R750P7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 950V 9A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥38.306483 +10：￥29.51755 +25：￥21.391932 +100：￥19.733644 +500：￥15.869831	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 950 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 220µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 712 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA95R750P7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 950V 9A Tube 下载数据手册未分类	+500：￥20.940428 +1000：￥16.141553 +2500：￥15.980345	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA95R750P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥22.161975 +10：￥11.275392 +50：￥9.720166 +100：￥9.321638 +500：￥8.534304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA95R750P7XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, 950V, 9A, 150DEG C, 28W 下载数据手册未分类	+1：￥28.289082 +10：￥14.246484 +100：￥12.895744 +500：￥10.474607 +1000：￥8.996439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA95R750P7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 220µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	712 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	28W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）