IPT60R040S7XTMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT60R040S7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.4758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 13A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 790µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3127 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPT60R040S7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥37.615564	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 13A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 790µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3127 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT60R040S7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥64.99957	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 13A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 790µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3127 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPT60R040S7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥122.247324 +10：￥104.822989 +100：￥87.350813 +500：￥77.074483 +1000：￥69.36711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™S7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2
IPT60R040S7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥122.247324 +10：￥104.822989 +100：￥87.350813 +500：￥77.074483 +1000：￥69.36711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™S7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2

Mouser

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	IPT60R040S7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管	+1：￥131.54101 +10：￥112.681517 +25：￥102.221629 +100：￥93.980505 +250：￥88.433596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™S7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 13A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 790µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 83 nC 12 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3127 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPT60R040S7XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™S7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 13A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 790µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	83 nC 12 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3127 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	245W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-2
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）