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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.850574 +20000：￥1.665565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.645246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥2.054543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥2.4874 +8000：￥2.388637 +12000：￥2.346294 +16000：￥2.304063 +20000：￥2.176699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3702TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH3702TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.216357 +5000：￥3.028746 +15000：￥2.948327 +20000：￥2.814365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH3702TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFH3702TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+5000：￥1.849437 +10000：￥1.817291 +15000：￥1.769018 +20000：￥1.688597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH3702TRPBF 授权代理品牌	IRFH3702TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.653277 +5：￥2.586945 +10：￥2.520613 +30：￥2.454281 +50：￥2.41006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.708191 +10：￥1.665128 +50：￥1.622064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.650773 +5000：￥1.622064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.386258 +8000：￥1.313306 +12000：￥1.215998 +28000：￥1.203995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH3702TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.1 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1510 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（3x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥2.054543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥2.4874 +8000：￥2.388637 +12000：￥2.346294 +16000：￥2.304063 +20000：￥2.176699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3702TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH3702TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.216357 +5000：￥3.028746 +15000：￥2.948327 +20000：￥2.814365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH3702TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFH3702TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+5000：￥1.849437 +10000：￥1.817291 +15000：￥1.769018 +20000：￥1.688597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH3702TRPBF 授权代理品牌	IRFH3702TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.653277 +5：￥2.586945 +10：￥2.520613 +30：￥2.454281 +50：￥2.41006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.708191 +10：￥1.665128 +50：￥1.622064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH3702TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.650773 +5000：￥1.622064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.1 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）