IPA65R650CEXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.803428 +10：￥4.40645 +30：￥4.327048 +100：￥4.088864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.497895 +10：￥6.33193 +30：￥5.276568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册	+1：￥7.829442 +10：￥6.757933 +30：￥6.174438 +100：￥5.633379 +500：￥5.283282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.402142 +30：￥13.342197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.8935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.440142 +10：￥8.42663 +100：￥6.568139 +500：￥5.425823 +1000：￥4.759454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.09309 +10：￥20.61377 +100：￥16.067407 +500：￥13.273 +1000：￥11.642884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 28W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥19.899253 +10：￥16.282528 +100：￥12.65854 +500：￥10.729909 +1000：￥8.740565	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 650mOhm @ 2.1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 210µA Supplier Device Package： PG-TO220-3-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 440 pF @ 100 V
IPA65R650CEXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 650mOhm @ 2.1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 210µA Supplier Device Package： PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 440 pF @ 100 V

IPA65R650CEXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	650 毫欧 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	440 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	28W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）