IRF40B207厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.884759 +10：￥10.58992 +50：￥8.824893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥9.266325 +10：￥8.534198 +50：￥5.977217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.949346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.712415 +10：￥6.885689 +100：￥5.368174 +500：￥4.434473 +1000：￥3.500882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.86661 +10：￥16.844218 +100：￥13.131975 +500：￥10.847895 +1000：￥8.564086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥18.145237 +50：￥14.621919 +100：￥11.588662 +500：￥9.822432 +1000：￥8.001336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.5mOhm @ 57A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 50µA Supplier Device Package： TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2110 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF40B207 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥21.179679 +10：￥18.935475 +100：￥14.867854 +500：￥12.230914 +1000：￥9.397605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2110 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF40B207 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥9.301705 +10：￥8.621359 +100：￥7.831782 +500：￥7.552466 +1000：￥6.992273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF40B207参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 57A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	68 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2110 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）