IPD530N15N3GATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册未分类	+10：￥17.311022 +100：￥13.910735 +500：￥11.437637 +1000：￥9.521142 +2500：￥8.964649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 887 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册未分类	+2500：￥4.694376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 887 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 887 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.213842 +5000：￥4.057767 +12500：￥3.901693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 887 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥10.308174 +5000：￥9.926374 +12500：￥9.544574	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 887 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.49254 +10：￥20.228958 +100：￥16.263396 +500：￥13.362288 +1000：￥11.071773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.49254 +10：￥20.228958 +100：￥16.263396 +500：￥13.362288 +1000：￥11.071773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD530N15N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥26.203554 +10：￥23.255656 +100：￥17.032311 +500：￥14.706746 +1000：￥12.921629	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 35µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 887 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 68W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD530N15N3GATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥7.777798 +5000：￥7.701277 +10000：￥7.62331 +12500：￥7.620422	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPD530N15N3GATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥23.671957 +10：￥21.118403 +25：￥20.556106 +100：￥16.767045 +250：￥15.855246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD530N15N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	53 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	887 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	68W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）