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搜索 IRFP350PBF 共 14 条相关记录
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IRFP350PBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFP350PBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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￥13.454837

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￥12.79091

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￥16.718933

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￥12.115125

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￥11.509399

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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IRFP350PBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFP350PBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFP350PBF_未分类
IRFP350PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥9.736198

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 16A

功率(Pd)： 190W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 300mΩ@10V,9.6A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

IRFP350PBF_未分类
IRFP350PBF
null(欧芯)
授权代理品牌
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￥5.693108

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￥4.589453

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￥4.032163

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFP350PBF_未分类
IRFP350PBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

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IRFP350PBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFP350PBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFP350PBF_未分类
IRFP350PBF
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

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未分类
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￥18.646671

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￥18.475624

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￥18.304463

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￥18.133416

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￥17.962368

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国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFP350PBF
Vishay(威世)
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MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

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未分类
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￥26.367956

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品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFP350PBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFP350PBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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￥21.794053

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￥19.561202

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￥16.029021

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￥13.645216

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￥11.508032

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 9.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 150 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 190W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-247AC

封装/外壳： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFP350PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 9.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 150 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2600 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）