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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFSL4010PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFSL4010PBF
授权代理品牌
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¥77.682121

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¥64.735121

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¥51.788

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¥43.156707

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 106A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9575 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-262

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IRFSL4010PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥25.135103

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¥22.598428

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¥18.514842

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¥15.82469

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 106A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9575 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-262

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IRFSL4010PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥55.281742

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¥45.292209

+500:

¥38.711386

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 106A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9575 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-262

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IRFSL4010PBF_未分类
IRFSL4010PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 180A TO262

未分类

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¥54.130669

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¥48.649598

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¥39.856764

+500:

¥33.92932

+1000:

¥28.61513

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 375W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-262

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V

Mouser
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IRFSL4010PBF_晶体管
IRFSL4010PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 180A TO-262

晶体管

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¥62.40461

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¥56.131982

+100:

¥45.999274

+500:

¥41.013339

+1000:

¥32.328162

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 106A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9575 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-262

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IRFSL4010PBF_未分类
IRFSL4010PBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

未分类

+1000:

¥22.217171

+2000:

¥21.442626

+5000:

¥21.102914

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRFSL4010PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.7 毫欧 106A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 215 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9575 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-262
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)