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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL4010PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.03312 +10：￥27.901207 +100：￥22.859398 +500：￥19.537996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 106A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9575 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL4010PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.625128 +10：￥48.213193 +100：￥39.500962 +500：￥33.761591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 106A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9575 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFSL4010PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO262 下载数据手册未分类	+1：￥47.209301 +10：￥42.429061 +100：￥34.760516 +500：￥29.590979 +1000：￥24.956284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.7mOhm @ 106A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-262 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9575 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL4010PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 下载数据手册晶体管	+1：￥60.532402 +10：￥54.44796 +100：￥44.619245 +500：￥39.782893 +1000：￥31.35828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 106A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 215 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9575 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFSL4010PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥22.564642 +2000：￥21.777984 +5000：￥21.432958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFSL4010PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.7 毫欧 106A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	215 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9575 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-262
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）