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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IMBD4448-HE3-18 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
IMBD4448-HE3-18参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 75 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 150mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1 V 10 mA |
速度: | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr): | 4 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 2.5 µA 70 V |
不同 Vr、F 时电容: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
工作温度 - 结: | 150°C(最大) |
温度: |