IRFBC20PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFBC20PBF 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.561744 +100：￥7.788672 +200：￥6.246864 +300：￥5.577552 +500：￥5.177088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.829853 +10：￥4.28349 +30：￥4.206999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFBC20PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 600V 2.2A 下载数据手册未分类	+1：￥4.502035 +10：￥3.780835 +30：￥3.420236 +100：￥3.059636 +500：￥2.84109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 600V 连续漏极电流(Id)： 2.2A 功率(Pd)： 50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.4Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.766125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFBC20PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFBC20PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.054543 +500：￥2.018813 +2950：￥1.965164 +8850：￥1.929435 +17700：￥1.786513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥3.982607 +100：￥3.58989 +500：￥3.455506 +1000：￥3.325972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFBC20PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFBC20PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.881161 +200：￥1.849015 +590：￥1.816869 +1770：￥1.768701 +5900：￥1.720428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥2.857873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.339709 +10：￥9.249468 +100：￥7.211068 +500：￥5.956658 +1000：￥4.702669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.866984 +10：￥15.98305 +100：￥12.460702 +500：￥10.293085 +1000：￥8.126197	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFBC20PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.4 欧姆 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFBC20PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFBC20PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.054543 +500：￥2.018813 +2950：￥1.965164 +8850：￥1.929435 +17700：￥1.786513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥3.982607 +100：￥3.58989 +500：￥3.455506 +1000：￥3.325972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFBC20PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFBC20PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.881161 +200：￥1.849015 +590：￥1.816869 +1770：￥1.768701 +5900：￥1.720428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFBC20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥2.857873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 欧姆 1.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）