IPP65R190CFDXKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPP65R190CFDXKSA1 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥86.59728 +10：￥72.1644 +30：￥57.73152 +100：￥48.1096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2074.432937 +200：￥802.782818 +500：￥774.568607 +1000：￥760.62541	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.12688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.18144 +10：￥19.928547 +100：￥16.329131 +500：￥13.956353	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.261678 +10：￥48.750506 +100：￥39.945379 +500：￥34.140936	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+500：￥36.540962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 7.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 730µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Part Status： Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1850 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 730µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1850 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R190CFDXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥31.819143 +1000：￥31.602784 +2000：￥31.386425 +2500：￥31.170066 +3000：￥30.939284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP65R190CFDXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	68 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1850 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	151W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）