IRFS7434TRL7PP厂家价格_数据手册

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	IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥79.288416 +100：￥56.611584 +200：￥43.28928 +300：￥36.756144 +400：￥33.062112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+1：￥15.735269 +10：￥13.495178 +30：￥12.096488 +100：￥10.654088 +500：￥10.009379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.496627	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+1：￥45.91444 +10：￥39.35525 +30：￥34.435857 +100：￥28.998639 +500：￥27.548664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+800：￥12.116018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.227674 +10：￥11.852228 +400：￥10.977063 +800：￥10.451965 +4800：￥10.401955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.798326 +100：￥10.601993 +500：￥10.503826 +1000：￥10.356576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.183048 +500：￥10.001186 +1000：￥9.819323 +3000：￥9.72845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥13.659975 +800：￥12.675646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.946416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFS7434TRL7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	315 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10250 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	245W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+1：￥45.91444 +10：￥39.35525 +30：￥34.435857 +100：￥28.998639 +500：￥27.548664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+800：￥12.116018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.227674 +10：￥11.852228 +400：￥10.977063 +800：￥10.451965 +4800：￥10.401955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.798326 +100：￥10.601993 +500：￥10.503826 +1000：￥10.356576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.183048 +500：￥10.001186 +1000：￥9.819323 +3000：￥9.72845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS7434TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥13.659975 +800：￥12.675646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10250 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）