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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP120P04P4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.0876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP120P04P4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.222101 +10：￥42.44354 +100：￥34.777556 +500：￥29.605216 +1000：￥26.008446	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP120P04P4L03AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP120P04P4L03AKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥33.361719 +1000：￥33.152144 +2000：￥32.942569 +2500：￥32.732994 +3000：￥32.52342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP120P04P4L03AKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	234 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）