IPA086N10N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.437879 +200：￥7.865 +500：￥6.292 +1000：￥5.243293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.670634 +200：￥3.748054 +500：￥3.616926 +1000：￥3.551363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.8935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.51489 +50：￥9.229628 +100：￥7.593501 +500：￥6.425309 +1000：￥5.451795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.168473 +50：￥22.578116 +100：￥18.575716 +500：￥15.718008 +1000：￥13.336534	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.6 毫欧 45A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 37.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPA086N10N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥30.617593 +10：￥27.519281 +25：￥27.249429 +50：￥26.981003 +100：￥24.429538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥9.626077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA086N10N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥8.675387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA086N10N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+19：￥16.498167 +50：￥15.414345 +100：￥13.126278 +200：￥12.524154 +500：￥11.573282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA086N10N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.6 毫欧 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3980 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	37.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）