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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.182615 +10：￥11.2455 +30：￥11.058075 +100：￥10.4958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.756898 +10：￥16.065775 +20：￥11.793023 +50：￥8.545625 +100：￥8.118374	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.104831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.019866 +10：￥7.731315 +30：￥6.76493 +100：￥5.696789 +500：￥5.411897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.418437 +500：￥9.261463 +1000：￥9.182977 +3000：￥9.026003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB260NPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFB260NPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥8.127686 +1000：￥7.787922 +1500：￥7.455105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥9.400841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB260NPBF 授权代理品牌	IRFB260NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥9.418437 +20：￥9.182977 +200：￥8.633567 +1000：￥8.476593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB260NPBF 授权代理品牌	IRFB260NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.162645 +10：￥7.958556 +30：￥7.754467 +50：￥7.550493 +80：￥7.346404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.717713 +50：￥12.470165 +100：￥10.68863 +500：￥9.500861 +1000：￥8.135115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFB260NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	220 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4220 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	380W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.019866 +10：￥7.731315 +30：￥6.76493 +100：￥5.696789 +500：￥5.411897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.418437 +500：￥9.261463 +1000：￥9.182977 +3000：￥9.026003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB260NPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFB260NPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥8.127686 +1000：￥7.787922 +1500：￥7.455105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB260NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥9.400841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 34A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4220 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB260NPBF 授权代理品牌	IRFB260NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥9.418437 +20：￥9.182977 +200：￥8.633567 +1000：￥8.476593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB260NPBF 授权代理品牌	IRFB260NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.162645 +10：￥7.958556 +30：￥7.754467 +50：￥7.550493 +80：￥7.346404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数