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搜索 IRFR120NPBF14 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR120NPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR120NPBF
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¥0.804287

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

自营 现货库存
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IRFR120NPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR120NPBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

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IRFR120NPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥2.25302

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

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IRFR120NPBF_未分类
IRFR120NPBF
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MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRFR120NPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR120NPBF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRFR120NPBF_未分类
IRFR120NPBF

IRFR120NPBF HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

未分类

+2500:

¥2.281216

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+12500:

¥2.182124

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR120NPBF_未分类
IRFR120NPBF

IRFR120NPBF HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

未分类

+2500:

¥2.380425

+7500:

¥2.281216

+12500:

¥2.182124

+15000:

¥2.043209

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IRFR120NPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR120NPBF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR120NPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRFR120NPBF_null
IRFR120NPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: International Rectifier

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 210mOhm 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 48W (Tc)

工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C ~ 175°C (TJ)

IRFR120NPBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装: D-Pak