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	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.854079	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.153545 +5：￥17.68657 +15：￥12.982695 +25：￥9.40775 +50：￥8.937423	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.611771 +10：￥11.857785 +25：￥10.75498 +100：￥9.631168	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.597124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.639053 +10：￥15.65918 +100：￥12.669214 +500：￥11.261669 +1000：￥9.642802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.596062 +10：￥38.306501 +100：￥30.992253 +500：￥27.549025 +1000：￥23.588848	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFP1405PBF International 授权代理品牌	IRFP1405 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.3mOhm @ 95A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-247AC Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5600 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP1405PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC 下载数据手册未分类	+1：￥43.576595 +10：￥39.615086 +100：￥34.014333 +250：￥33.194711 +400：￥29.369806	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 180 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP1405PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+1：￥47.421295 +10：￥40.340987 +100：￥34.511663 +400：￥26.30934	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP1405PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.3 毫欧 95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	180 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）