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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.65628 +10：￥24.11288 +20：￥17.69988 +50：￥12.826 +100：￥12.1847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

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	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥15.615069 +10：￥13.364051 +50：￥11.965361 +100：￥10.522961	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.383828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥26.484608	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

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	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.990146 +10：￥23.359436 +100：￥19.140263 +500：￥16.359001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥63.578784 +10：￥57.14337 +100：￥46.822157 +500：￥40.01845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥66.70205 +50：￥34.357675 +100：￥31.219926 +500：￥25.724351 +1000：￥24.298059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.4mOhm @ 165A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11210 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB3036PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥57.874298 +10：￥47.261246 +25：￥31.341668 +100：￥29.351721 +500：￥26.366801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4mOhm 165A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11210 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRLB3036PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB - MOSFET - Single 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB3036PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥24.346495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLB3036PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4mOhm 165A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11210 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	380W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)