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IPD60R2K1CEAUMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2.044416

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CE

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 760mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 60µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO252-3

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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IPD60R2K1CEAUMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPD60R2K1CEAUMA1
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CE

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 760mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 60µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO252-3

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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自营 国内现货
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IPD60R2K1CEAUMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CE

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 760mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 60µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO252-3

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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IPD60R2K1CEAUMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CE

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 760mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 60µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO252-3

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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¥3.442259

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货期:7~10 天

系列: CoolMOS™ CE

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

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货期:7~10 天

系列: CoolMOS™ CE

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

Mouser
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IPD60R2K1CEAUMA1_晶体管
IPD60R2K1CEAUMA1
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MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CE

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 760mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 60µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.7 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO252-3

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温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IPD60R2K1CEAUMA1_未分类
IPD60R2K1CEAUMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R2K1CEAUMA1
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货期:7~10 天

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IPD60R2K1CEAUMA1_未分类
IPD60R2K1CEAUMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥1.50739

+5000:

¥1.45017

+10000:

¥1.435866

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¥1.400102

+25000:

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货期:7~10 天

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IPD60R2K1CEAUMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ CE
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 760mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.7 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 38W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -40°C # 150°C(TJ)