IPD60R2K1CEAUMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.044416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.257911 +5000：￥1.193968 +12500：￥1.108671 +25000：￥1.083083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.077182 +5000：￥2.920761 +12500：￥2.712104 +25000：￥2.649507	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.084347 +10：￥7.806862 +100：￥5.423641 +500：￥4.23501 +1000：￥3.442259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.084347 +10：￥7.806862 +100：￥5.423641 +500：￥4.23501 +1000：￥3.442259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥10.384728 +10：￥8.486271 +100：￥6.214611 +500：￥4.851616 +1000：￥3.942952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R2K1CEAUMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥2.575739 +5000：￥2.487215 +10000：￥2.380131	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+2500：￥1.663851 +5000：￥1.592325 +10000：￥1.576233 +12500：￥1.533318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥1.50739 +5000：￥1.45017 +10000：￥1.435866 +12500：￥1.400102 +25000：￥1.386691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R2K1CEAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 欧姆 760mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	140 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 150°C（TJ）