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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPP60R360CFD7XKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPP60R360CFD7XKSA1
INFINEON(英飞凌)
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￥14.520121

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￥12.100121

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￥9.68

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￥8.066707

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CFD7

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3-1

封装/外壳： TO-220-3

温度： -

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IPP60R360CFD7XKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPP60R360CFD7XKSA1
INFINEON(英飞凌)
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￥7.861854

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CFD7

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3-1

封装/外壳： TO-220-3

温度： -

自营 国内现货
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IPP60R360CFD7XKSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPP60R360CFD7XKSA1
INFINEON(英飞凌)
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￥15.380645

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￥12.364468

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￥10.158441

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￥8.833392

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CFD7

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3-1

封装/外壳： TO-220-3

温度： -

Digi-Key
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￥24.850238

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￥21.608818

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CFD7

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3-1

封装/外壳： TO-220-3

温度： -

IPP60R360CFD7XKSA1_未分类
IPP60R360CFD7XKSA1
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MOSFET 600V TO220-3-1

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库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： -

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： PG-TO220-3-1

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Mouser
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MOSFET 600V TO220-3-1

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未分类
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￥45.957402

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￥41.44373

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￥33.237051

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￥27.21882

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￥25.987817

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： CoolMOS™ CFD7

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： PG-TO220-3-1

封装/外壳： TO-220-3

温度： -

IPP60R360CFD7XKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ CFD7
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
温度: -