IRF9530PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.481552 +100：￥9.352656 +200：￥7.501248 +300：￥6.697584 +500：￥6.216768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 860 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF9530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥6.76398 +10：￥5.736817 +50：￥5.179526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 860 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF9530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.813454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 860 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.531623 +10：￥11.229996 +100：￥9.027615 +500：￥7.41692 +1000：￥6.145481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 860 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.68165 +50：￥17.39018 +100：￥14.307398 +500：￥12.106337 +1000：￥10.272119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 860 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥25.19014 +10：￥19.961998 +100：￥17.110284 +500：￥14.892284 +1000：￥13.070356	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 860 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥23.691763 +10：￥18.716771 +100：￥15.680829 +500：￥12.385976 +1000：￥10.506782	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥8.089586 +100：￥7.807395 +250：￥7.431133 +500：￥7.054873 +1000：￥6.960808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+5：￥8.326792 +10：￥6.898267 +25：￥6.353174 +100：￥4.924649 +250：￥4.830667	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9530PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, P, -100V, -12A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥15.52075 +10：￥12.29792 +100：￥10.541081 +500：￥9.17981 +1000：￥7.655665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9530PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	860 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	88W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）