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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.7389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.305104 +5：￥11.5236 +10：￥8.088768 +20：￥6.176304 +50：￥4.160016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.979569	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.121101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册未分类	+250：￥3.424203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7440PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFB7440PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.789645 +1000：￥8.21796 +3000：￥8.003579 +5000：￥7.789198 +6000：￥7.503355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB7440PBF 授权代理品牌	IRFB7440PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.357446 +10：￥6.19804 +50：￥6.039677 +250：￥5.933407 +500：￥5.775044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.610401 +100：￥3.550204 +500：￥3.490008 +1000：￥3.429927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7440PBF 授权代理品牌	IRFB7440PBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+30：￥3.767375 +100：￥3.550204 +300：￥3.277583 +500：￥3.008668 +1000：￥2.982505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.926288 +10：￥9.733851 +100：￥7.569266 +500：￥6.415629 +1000：￥5.226215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFB7440PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	135 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4730 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	143W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.121101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册未分类	+250：￥3.424203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7440PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFB7440PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.789645 +1000：￥8.21796 +3000：￥8.003579 +5000：￥7.789198 +6000：￥7.503355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB7440PBF 授权代理品牌	IRFB7440PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.357446 +10：￥6.19804 +50：￥6.039677 +250：￥5.933407 +500：￥5.775044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB7440PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.610401 +100：￥3.550204 +500：￥3.490008 +1000：￥3.429927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFB7440PBF 授权代理品牌	IRFB7440PBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+30：￥3.767375 +100：￥3.550204 +300：￥3.277583 +500：￥3.008668 +1000：￥2.982505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数