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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN62N50L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥507.634516 +10：￥460.01913 +100：￥412.433145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 550 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN62N50L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥877.190748 +10：￥794.91152 +100：￥712.683097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 550 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN62N50L IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B 下载数据手册	+1：￥1114.961216 +10：￥1010.507451 +20：￥975.68953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 550 nC 20 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN62N50L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥816.145394	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN62N50L Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	N-Channel 500 V 62 A 100 m? Chassis Mount Power Mosfet - SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥551.386448 +20：￥547.352829 +30：￥545.007702 +40：￥543.31921 +50：￥538.066123	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTN62N50L参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 500mA，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	550 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）