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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.435872 +10：￥4.094652 +30：￥4.026408 +100：￥3.821676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.795296 +100：￥6.349968 +200：￥5.092992 +300：￥4.547232 +500：￥4.220928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.185144 +10：￥3.420236 +50：￥3.026854 +100：￥2.655327 +500：￥2.425854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.09894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.45431 +50：￥3.417772 +1000：￥2.843475 +20000：￥2.829468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.591386 +10：￥10.411424 +100：￥8.367315 +500：￥6.874456 +1000：￥5.695952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.061757 +50：￥16.07682 +100：￥13.2283 +500：￥11.192717 +1000：￥9.496938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IRF9610PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB 下载数据手册	+1：￥23.605855 +10：￥19.169855 +100：￥16.476569 +250：￥15.272514 +500：￥13.672385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 170 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IRF9610PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥10.047539 +10：￥9.30134 +100：￥8.797539 +250：￥7.834294 +500：￥7.783595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9610PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+9：￥6.854768	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9610PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	170 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）