IRF200B211厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF200B211 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.485799 +10：￥3.420236 +30：￥3.376526 +100：￥3.332817	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.32024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.636639 +10：￥6.810495 +100：￥5.31163 +500：￥4.387736 +1000：￥3.46398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.441864 +50：￥14.825764 +100：￥11.747966 +500：￥9.95761 +1000：￥8.111555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥17.743998 +10：￥14.211042 +100：￥12.500015 +500：￥11.406855 +1000：￥10.044372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥7.943608 +5000：￥7.880237 +10000：￥7.656853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF200B211 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.718961 +10：￥10.749379 +100：￥9.591265 +500：￥9.022507 +1000：￥8.429984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+47：￥6.390055 +51：￥5.903555 +100：￥5.416108 +200：￥5.249821 +500：￥5.04838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF200B211 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+13：￥6.447067 +100：￥5.752475 +500：￥5.411356 +1000：￥5.055985 +2000：￥4.929607	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥14.07595 +10：￥11.584428 +100：￥9.023045 +500：￥7.64922 +1000：￥5.867888	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF200B211参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	790 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）