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	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.857321 +10：￥7.381121 +30：￥5.9048 +100：￥4.920707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.485799 +10：￥3.420236 +30：￥3.376526 +100：￥3.332817	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.32024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.644047 +50：￥6.949114 +100：￥5.506492 +500：￥4.667318 +1000：￥3.802038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.14563 +50：￥16.999373 +100：￥13.470339 +500：￥11.417497 +1000：￥9.300793	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥18.292803 +10：￥14.650576 +100：￥12.886628 +500：￥11.75966 +1000：￥10.355034	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥7.821285 +5000：￥7.758891 +10000：￥7.538946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF200B211 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.5385 +10：￥10.58385 +100：￥9.44357 +500：￥8.883571 +1000：￥8.300171	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF200B211 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+47：￥6.514737 +51：￥6.018744 +100：￥5.521785 +200：￥5.352254 +500：￥5.146883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF200B211 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+13：￥6.57286 +100：￥5.864715 +500：￥5.516941 +1000：￥5.154635 +2000：￥5.025792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF200B211参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170 毫欧 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	790 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）