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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.719753 +300：￥8.017339 +1000：￥6.215649 +4000：￥4.504104 +20000：￥4.053742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.661962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册未分类	+100：￥42.77513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.791759 +8000：￥3.611168 +12000：￥3.444536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.275647 +8000：￥8.833873 +12000：￥8.426249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.431513 +10：￥18.345263 +100：￥14.270443 +500：￥12.095587 +1000：￥9.85315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.431513 +10：￥18.345263 +100：￥14.270443 +500：￥12.095587 +1000：￥9.85315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥26.088876 +10：￥23.423883 +100：￥18.234161 +500：￥15.008118 +1000：￥11.894284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 21A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH9310TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 毫欧 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	58 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5250 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）