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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R160P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.497046 +30：￥12.498332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23.8A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R160P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.65256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23.8A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IPA60R160P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.664075 +10：￥15.845544 +25：￥14.981453 +100：￥11.985509 +250：￥11.319371	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23.8A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R160P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.211009 +10：￥38.762399 +25：￥36.648602 +100：￥29.319732 +250：￥27.69018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23.8A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R160P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 下载数据手册晶体管	+1：￥57.54293 +10：￥48.414307 +25：￥37.166539 +100：￥34.069328 +500：￥33.906316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23.8A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 9A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R160P6XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥2579.450832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R160P6XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23.8A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160mOhm 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2080 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	34W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 Full Pack
温度:	-55°C # 150°C (TJ)