IRFI4321PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRFI4321PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.259633 +10：￥22.492085 +20：￥16.510208 +50：￥11.963875 +100：￥11.365651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFI4321PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥22.881703 +10：￥19.73465 +50：￥17.866086 +100：￥15.975669 +500：￥15.101487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFI4321PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.739494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFI4321PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.85982 +10：￥20.546096 +100：￥16.833039 +500：￥14.329667 +1000：￥12.085299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4321PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.921177 +10：￥50.261193 +100：￥41.178074 +500：￥35.054164 +1000：￥29.563845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IRFI4321PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥34.824076 +10：￥34.492418 +25：￥23.713537 +100：￥22.884393 +500：￥21.557761	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4321PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥17.406274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4321PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥45.695453 +10：￥35.377126 +25：￥33.215189 +50：￥31.249794	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFI4321PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥15.526629 +10：￥15.231818 +50：￥10.907948 +100：￥10.220059 +500：￥9.551824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IRFI4321PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 150V, 34A, TO-220AB-3 下载数据手册未分类	+1：￥23.104038 +10：￥16.012955 +100：￥14.311096 +500：￥13.782488 +1000：￥13.524631	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFI4321PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4440 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	46W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）