搜索 IRFB4710PBF 共 12 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFB4710PBF 授权代理品牌 | +1: ¥26.035056 +5: ¥21.207744 +10: ¥17.465184 +20: ¥14.221728 +50: ¥10.847952 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFB4710PBF 授权代理品牌 | +1: ¥11.829035 +10: ¥10.524128 +30: ¥9.696626 +100: ¥9.007041 +500: ¥8.550854 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRFB4710PBF 授权代理品牌 | +40: ¥17.996352 | ||||
IRFB4710PBF 授权代理品牌 | +1000: ¥21.50245 +2000: ¥20.773616 | ||||
IRFB4710PBF | +3: ¥6.406529 +20: ¥6.187737 +200: ¥5.968947 | 暂无参数 | |||
IRFB4710PBF 授权代理品牌 | +10: ¥12.243968 +500: ¥12.039879 +1000: ¥11.937892 +3000: ¥11.733803 | ||||
IRFB4710PBF 授权代理品牌 | +10: ¥14.357907 +500: ¥14.101494 +1000: ¥13.84508 +3000: ¥13.71693 |
IRFB4710PBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 75A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14 毫欧 45A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 170 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6160 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.8W(Ta),200W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |