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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.080033 +10：￥3.756218 +30：￥3.691457 +100：￥3.497174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRLR7843TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=3mΩ@4.5V TO252 下载数据手册未分类	+1：￥4.785622 +10：￥4.417497 +30：￥4.343872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.825321 +200：￥7.34833 +500：￥5.697043 +2000：￥4.128278 +10000：￥3.715426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.38746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥7.326568 +4000：￥7.030391 +6000：￥6.85074 +8000：￥6.618802 +10000：￥6.39681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR7843TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR7843TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.117518 +1000：￥3.906403 +5000：￥3.800794 +10000：￥3.695289 +20000：￥3.554477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥5.937969 +100：￥5.716211 +500：￥5.556215 +1000：￥5.40033 +2000：￥5.271426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR7843TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR7843TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.638372 +5：￥4.522378 +10：￥4.406499 +30：￥4.290506 +50：￥4.213176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR7843TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR7843TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥2.103636 +1000：￥2.023529 +1500：￥1.94481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.048764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLR7843TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	161A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4380 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册未分类	+2000：￥7.326568 +4000：￥7.030391 +6000：￥6.85074 +8000：￥6.618802 +10000：￥6.39681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR7843TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR7843TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.117518 +1000：￥3.906403 +5000：￥3.800794 +10000：￥3.695289 +20000：￥3.554477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR7843TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK 下载数据手册未分类	+10：￥5.937969 +100：￥5.716211 +500：￥5.556215 +1000：￥5.40033 +2000：￥5.271426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 161A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4380 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR7843TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLR7843TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥4.638372 +5：￥4.522378 +10：￥4.406499 +30：￥4.290506 +50：￥4.213176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR7843TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRLR7843TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥2.103636 +1000：￥2.023529 +1500：￥1.94481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数