IRFB9N60APBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.88968 +10：￥22.59312 +50：￥18.8276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.652553 +10：￥21.047832 +30：￥19.409378 +100：￥17.739415 +500：￥16.983205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFB9N60APBF 授权代理品牌	IRFB9N60APBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.566165 +2120：￥6.341817 +2270：￥6.061209 +3070：￥5.892774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFB9N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.51209 +50：￥10.652851 +100：￥9.742286 +500：￥8.123284 +1000：￥7.762623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFB9N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.731743 +50：￥26.059696 +100：￥23.832214 +500：￥19.871704 +1000：￥18.989432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N60APBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥46.432101 +10：￥26.200972 +100：￥24.045195 +500：￥21.557761 +1000：￥21.060274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N60APBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥30.057783 +10：￥21.730756 +100：￥20.275847 +500：￥19.501961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥13.424578 +100：￥13.124029 +150：￥12.923661 +500：￥12.623111 +1000：￥12.422745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IRFB9N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N, TO-220 600V 9.2A 下载数据手册未分类	+1：￥19.028325 +10：￥15.390937 +100：￥13.345717 +500：￥12.685551 +1000：￥11.572329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB9N60APBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, N, 600V, 9.2A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥29.641727 +10：￥19.552526 +100：￥15.84731 +500：￥14.207501 +1000：￥13.068398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFB9N60APBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	49 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	170W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）