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IRF9310TRPBF_未分类
IRF9310TRPBF
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MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-18A RDS(ON)=8mΩ@4.5V SOIC8_150MIL 5X4MM

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IRF9310TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF9310TRPBF
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5250 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF9310TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5250 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

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IRF9310TRPBF
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MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC

未分类

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5250 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

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系列: HEXFET®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165 nC 10 V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5250 pF 15 V

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功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V

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技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V

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功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

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功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

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功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

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封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

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零件状态: 在售

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

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IRF9310TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5250 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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