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	IRF9310TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-18A RDS(ON)=8mΩ@4.5V SOIC8_150MIL 5X4MM 下载数据手册未分类	+1：￥2.999914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.514219 +10：￥3.233081 +30：￥3.176854 +100：￥3.008171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥8.6394 +100：￥6.4614 +1000：￥5.0094 +4000：￥3.63 +8000：￥3.4485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥6.217617 +10：￥5.157671 +30：￥4.622235 +100：￥4.097726 +500：￥3.780835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.86178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.428138 +10：￥6.263261 +50：￥6.098492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.890936 +100：￥8.987291 +500：￥8.248803 +2000：￥7.79966 +4000：￥7.369533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.875513 +8000：￥3.69095 +12000：￥3.520581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF9310TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.480531 +8000：￥9.029041 +12000：￥8.612273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5250 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9310TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	165 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5250 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）