IRFBC30PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.638295 +10：￥4.174065 +50：￥3.802677 +150：￥3.555089 +300：￥3.400342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFBC30PBF TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥16.642703 +10：￥11.095216 +30：￥9.245973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFBC30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.263453 +10：￥6.886231 +50：￥5.509009 +100：￥4.590861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFBC30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.534507 +10：￥5.518271 +50：￥4.971908 +100：￥4.338126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFBC30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 600V 3.6A 下载数据手册未分类	+1：￥15.910105 +10：￥13.844851 +30：￥12.544506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 600V 连续漏极电流(Id)： 3.6A 功率(Pd)： 74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.2Ω@10V,2.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥19.827786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.53964 +10：￥8.569415 +100：￥6.88968 +500：￥5.660367 +1000：￥4.68998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.336487 +10：￥20.963061 +100：￥16.853983 +500：￥13.846758 +1000：￥11.472935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥28.500702 +10：￥25.700055 +100：￥20.592994 +500：￥20.42825 +1000：￥19.769273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥18.404253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFBC30PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	74W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）