IPP60R190P6XKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.9956 +30：￥24.442	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	IPP60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.715852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IPP60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.386075 +10：￥18.324302 +100：￥14.728939 +500：￥12.101336 +1000：￥11.525082	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

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	IPP60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.86974 +10：￥44.826097 +100：￥36.030887 +500：￥29.603074 +1000：￥28.193404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	IPP60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥35.798807 +50：￥19.661806 +100：￥17.535296 +500：￥16.227569 +1000：￥15.468757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 190mOhm @ 7.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 630µ Supplier Device Package： PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1750 pF @ 100 V

Mouser

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	IPP60R190P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.974825 +10：￥37.808996 +25：￥22.884393 +500：￥18.904499 +1000：￥16.914551	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20.2A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190mOhm 7.6A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 630µ 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1750 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 151W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

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	IPP60R190P6XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥16.596788 +50：￥16.431176 +100：￥16.267112 +500：￥14.840063 +1000：￥13.863417	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP60R190P6XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥12.53207 +100：￥12.435669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP60R190P6XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥18.605302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP60R190P6XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥26.867661 +10：￥20.582683 +100：￥16.363482 +500：￥13.734309	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP60R190P6XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20.2A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190mOhm 7.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 630µ
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1750 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	151W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)