IPP120P04P4L03AKSA2厂家价格_数据手册

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	IPP120P04P4L03AKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.134199 +10：￥37.42288 +30：￥31.185693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP120P04P4L03AKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.097905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP120P04P4L03AKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥28.331251 +10：￥27.70866 +30：￥27.112734 +100：￥26.541893 +500：￥25.214814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP120P04P4L03AKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.380581 +10：￥48.877629 +100：￥40.049545 +500：￥34.09312 +1000：￥29.951112	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP120P04P4L03AKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V,40V) 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.4mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 340µA Supplier Device Package： PG-TO220-3-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 15000 pF @ 25 V

Mouser

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	IPP120P04P4L03AKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥57.309975 +10：￥51.565301 +100：￥42.264398 +500：￥35.97261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS®-P2 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 340µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 234 nC 10 V Vgs（最大值）： +5V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP120P04P4L03AKSA2 授权代理品牌	Power MOSFET Transistor 下载数据手册未分类	+500：￥22.672461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP120P04P4L03AKSA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS®-P2
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	234 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）