IXFN360N15T2厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B 下载数据手册未分类	+1：￥237.373086 +30：￥228.194179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 715 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 47500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFN360N15T2 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+10：￥459.287719 +50：￥453.97422 +100：￥447.885923	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥288.516395 +10：￥257.079214 +100：￥225.651287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 715 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 47500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥705.78755 +10：￥628.883874 +100：￥552.002839	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 715 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 47500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B 下载数据手册	+1：￥806.655873 +10：￥718.824683 +20：￥675.960475 +50：￥653.476985	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 310A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 715 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 47500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 310A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥455.123091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET MODULE, N-CH, 150V, 310A 下载数据手册未分类	+1：￥470.066891 +10：￥438.539578 +100：￥380.772658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN360N15T2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 GigaMOS TrenchT2 HiperFET系列, Vds=150 V, 310 A, SOT-227封装, 螺纹, 4引脚下载数据手册未分类	+10：￥544.802193 +20：￥528.458127 +40：￥512.602223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN360N15T2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	IXYS N沟道增强型MOS管 GigaMOS TrenchT2 HiperFET系列, Vds=最小为 150 V, 310 A, SOT-227封装, 螺纹, 4引脚下载数据手册未分类	+1：￥580.690235 +3：￥568.509555 +5：￥551.447262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN360N15T2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, TrenchT2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	310A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	715 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	47500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1070W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）