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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPT60R065S7XTMA1 授权代理品牌 | +1: ¥105.391291 +10: ¥88.433596 +25: ¥83.520618 +100: ¥71.475899 +250: ¥67.513819 |
IPT60R065S7XTMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™S7 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 12V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 65 毫欧 8A,12V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V 490µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 51 nC 12 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1932 pF 300 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 167W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-HSOF-8-2 |
封装/外壳: | 8-PowerSFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |