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IPSA70R450P7SAKMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPSA70R450P7SAKMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.1 nC 400 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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IPSA70R450P7SAKMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPSA70R450P7SAKMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.1 nC 400 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.1 nC 400 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

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系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.1 nC 400 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.1 nC 400 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

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封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA

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Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

温度: -40°C # 150°C(TJ)

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MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V

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功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO251-3

封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

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IPSA70R450P7SAKMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ P7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 2.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.1 nC 400 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 424 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
温度: -40°C # 150°C(TJ)