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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.75368 +200：￥6.4614 +500：￥5.16912 +1000：￥4.3076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.3 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 46µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.933198 +200：￥3.070563 +500：￥2.96129 +1000：￥2.917581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.3 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 46µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.934138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.3 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 46µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.804245 +10：￥18.697318 +100：￥15.028087 +500：￥12.347386 +1000：￥10.230653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.3 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 46µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥21.583391 +10：￥19.67094 +100：￥15.846035 +500：￥12.731469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.3 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 46µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP126N10N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥20.361083 +10：￥18.692594 +100：￥15.202338 +500：￥12.242279	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP126N10N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.3 毫欧 46A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2500 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）