IPS60R210PFD7SAKMA1厂家价格_数据手册

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.100027 +10：￥12.066725 +30：￥10.055584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.257611 +10：￥26.542339 +30：￥24.324103	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.173149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.178441 +10：￥8.438638 +100：￥6.717771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.899164 +10：￥20.643143 +100：￥16.433447	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPS60R210PFD7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册未分类	+1：￥28.463358 +10：￥23.664304 +100：￥18.865249 +250：￥18.037826 +500：￥15.737589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 240µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPS60R210PFD7SAKMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™PFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	210 毫欧 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1015 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	64W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO251-3
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）