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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK200N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥217.794949 +25：￥180.578821 +100：￥169.293083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 540 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK200N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥532.784153 +25：￥441.743644 +100：￥414.135738	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 540 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK200N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A TO264 下载数据手册未分类	+1：￥633.202656 +10：￥584.021867 +25：￥557.651906 +100：￥498.602603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 540 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK200N10L2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 下载数据手册未分类	+300：￥313.819413	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTK200N10L2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Linear L2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	540 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1040W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264（IXTK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）