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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.7342 +10：￥2.4696 +30：￥2.2932 +100：￥2.0286 +500：￥1.90512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRLR2905TRPBF TO-252-3 下载数据手册未分类	+10：￥7.148075 +200：￥4.83395 +500：￥3.548325 +2000：￥2.57125 +4000：￥2.442748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.518503 +100：￥3.833885 +2000：￥2.738472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.672052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR2905TRPBF 授权代理品牌	IRLR2905TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.739448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.22031 +10：￥4.744295 +30：￥3.715629 +100：￥3.285687 +300：￥3.162747	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3：￥4.011055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.422866 +1000：￥3.365795 +5000：￥3.337317 +10000：￥3.280246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2905TRPBF 授权代理品牌	IRLR2905TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.219168 +500：￥2.048533 +2000：￥1.877783 +6000：￥1.70715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.860226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLR2905TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLR2905TRPBF 授权代理品牌	IRLR2905TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.739448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.22031 +10：￥4.744295 +30：￥3.715629 +100：￥3.285687 +300：￥3.162747	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3：￥4.011055	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2905TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.422866 +1000：￥3.365795 +5000：￥3.337317 +10000：￥3.280246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLR2905TRPBF 授权代理品牌	IRLR2905TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.219168 +500：￥2.048533 +2000：￥1.877783 +6000：￥1.70715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数